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近期全球存儲板塊因AI需求共振上漲,本文梳理上漲邏輯,分析A股存儲板塊投資機會,明確中長期價值。 ## 1. 全球存儲板塊集體爆發(fā)的核心邏輯 AI基礎(chǔ)設(shè)施投資擴張帶動存儲芯片需求快速上升,行業(yè)供給偏緊,供需錯配推動行業(yè)進入新一輪超級周期。IDC預(yù)測,2026年全球DRAM需求增速達45%、NAND需求增速達38%,而供給增速僅分別為16%、17%,供需缺口預(yù)計持續(xù)擴大至2027年上半年。 三星、SK海力士、美光三大國際龍頭主動將高端產(chǎn)能優(yōu)先投向高毛利的HBM品類,HBM產(chǎn)能擴張跟不上需求,供需失衡將持續(xù)至2027年。 當(dāng)前存儲行業(yè)下游需求結(jié)構(gòu)發(fā)生質(zhì)變,服務(wù)器相關(guān)敞口占比從過去的20%-30%躍升至50%-60%,單張GPU配套的HBM成本占比有望提升至40%以上。 ## 2. 國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)的業(yè)績與國產(chǎn)替代進展 國內(nèi)存儲龍頭一季度業(yè)績大幅爆發(fā),長鑫科技一季度營收508億元同比增719.13%,歸母凈利潤247.62億元同比暴增1688%;佰維存儲一季度凈利潤單季超去年全年三倍,江波龍、兆易創(chuàng)新營收同比增幅也均超100%。 國內(nèi)核心存儲企業(yè)長江存儲、長鑫存儲已攻克多項關(guān)鍵技術(shù),產(chǎn)能爬坡和客戶導(dǎo)入穩(wěn)步推進,全球市場占有率穩(wěn)步提升,帶動上下游產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。 國內(nèi)存儲廠商加速向先進制程及高端產(chǎn)品線迭代,疊加地緣因素催化,國內(nèi)存儲產(chǎn)線設(shè)備整體國產(chǎn)化率目前約20%,中期有望突破50%。 ## 3. A股存儲板塊的投資前景分析 5月18日A股存儲器指數(shù)盤中一度漲幅達4.43%,此前5月該指數(shù)曾收漲6.96%領(lǐng)漲全市場,走出獨立性行情。 目前來看,存儲板塊短期存在多重壓力:美國通脹超預(yù)期、中東局勢推高油價降低投資者風(fēng)險偏好,市場擔(dān)憂海外收緊對華芯片出口管制,部分資金獲利了結(jié),且5月上半月DRAM及NAND Flash現(xiàn)貨價漲幅收窄,渠道庫存去化放緩。 **「AI需求擴容+國產(chǎn)份額提升」的雙擊效應(yīng),將重塑國內(nèi)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈價值分配,具備技術(shù)壁壘的國產(chǎn)設(shè)備和材料龍頭有望獲得超越行業(yè)平均的業(yè)績彈性。** 從中長期看,存儲芯片仍是半導(dǎo)體板塊中最具彈性的方向之一,海外大廠仍在控產(chǎn)提價,AI對HBM的需求擠占了傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能,今年三季度伴隨手機廠商新機備貨和旺季到來,利基型DRAM和部分Flash產(chǎn)品或仍有漲價空間,擁有核心競爭力的相關(guān)公司依然值得關(guān)注。
全球存儲集體爆發(fā),A股相關(guān)板塊還有多大期待?
2026-05-25 15:06

全球存儲集體爆發(fā),A股相關(guān)板塊還有多大期待?

本文來自微信公眾號: 證券市場周刊 ,編輯:張桔,作者:本刊


近期受到種種利好催化,半導(dǎo)體存儲板塊迎來全球范圍內(nèi)的共振上漲,后續(xù)需要客觀看待這一板塊投資價值。


長鑫科技創(chuàng)業(yè)板IPO迎來新進展,5月17日,國產(chǎn)存儲芯片巨頭長鑫科技更新了招股書,一季度實現(xiàn)營業(yè)收入508億元,同比增長719.13%;歸母凈利潤247.62億元,暴增1688%。


長鑫科技表示,今年一季度,受全球算力需求持續(xù)增長、全球主要廠商產(chǎn)能調(diào)配等因素影響,全球DRAM產(chǎn)品供不應(yīng)求,價格自2025年下半年以來持續(xù)呈現(xiàn)大幅上漲趨勢。隨著公司產(chǎn)銷規(guī)模的持續(xù)增長、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的持續(xù)優(yōu)化,公司營業(yè)收入迅速增長,利潤額大幅增長。國產(chǎn)存儲重大利好落地,半導(dǎo)體板塊在周一迎來強勢反攻,Wind數(shù)據(jù)顯示,5月18日盤中存儲器指數(shù)一度漲幅達4.43%,長鑫存儲、兆易創(chuàng)新表現(xiàn)活躍。


在AI需求井噴與產(chǎn)能緊缺的共振下,國內(nèi)存儲龍頭已具備極強的自我造血能力。真正的預(yù)期差在于,當(dāng)前交易的核心變量已從“依賴融資擴產(chǎn)”切換為“內(nèi)生利潤驅(qū)動的資本開支狂飆”。當(dāng)“不缺錢”成為現(xiàn)實,疊加國產(chǎn)替代的剛性訴求,上游半導(dǎo)體設(shè)備與材料環(huán)節(jié)的訂單的相對確定性被大幅拔高,整個產(chǎn)業(yè)鏈迎來從左側(cè)博弈向右側(cè)業(yè)績兌現(xiàn)的全面反轉(zhuǎn)。


全球存儲集體爆發(fā)


背后原因還是AI


全球存儲市場近期成為焦點,走勢大開大合的背后,真正的原因還是在于人工智能的推波助瀾。


5月11日,韓股大漲5%觸發(fā)熔斷,半導(dǎo)體股大爆發(fā),SK海力士飆漲10%,三星電子漲超6%,股價雙雙刷新歷史紀錄。究其原因,三星電子2026年第一季度營業(yè)利潤達57.23萬億韓元,同比激增756.1%,創(chuàng)下韓國企業(yè)史上最高盈利紀錄。SK海力士2026財年第一季度營業(yè)利潤達37.61萬億韓元,同比增加405%。


A股市場存儲芯片板塊同樣高歌猛進,Wind數(shù)據(jù)顯示,存儲器指數(shù)收漲6.96%,領(lǐng)漲市場各類指數(shù),江波龍、同有科技漲超15%。


對照來看美股,此前的5月8日存儲板塊集體大幅上漲,截至當(dāng)日收盤,美光科技大漲15.49%,閃迪漲16.60%,直接點燃了當(dāng)日全球半導(dǎo)體市場的熱情。


不過此后的5月13日,科技板塊跟隨隔夜美股行情回調(diào),算力硬件、半導(dǎo)體芯片等板塊跌幅居前;對照來看,Wind數(shù)據(jù)顯示,存儲器指數(shù)止跌反彈,最終該交易日這一指數(shù)漲幅為5%。


存儲芯片公司集體爆發(fā)的邏輯并不復(fù)雜,人工智能基礎(chǔ)設(shè)施投資持續(xù)擴張,帶動存儲芯片需求快速上升,而行業(yè)供給仍然偏緊。在需求強、供給緊、價格漲三重因素疊加下,市場開始重新定價存儲芯片公司的盈利彈性。AI的高速發(fā)展導(dǎo)致對高帶寬存儲芯片(HBM)的需求呈爆發(fā)式增長,推動行業(yè)進入新一輪超級周期。


據(jù)IDC預(yù)測,2026年全球DRAM需求增速將達45%,NAND需求增速達38%,而供給增速分別僅為16%和17%,均低于歷史平均水平,供需缺口將持續(xù)擴大至2027年上半年。


供給端方面,三星、SK海力士、美光科技三家國際龍頭主動將高端產(chǎn)能優(yōu)先投向HBM等高毛利存儲品類,加之HBM高端產(chǎn)品產(chǎn)能擴張速度跟不上市場需求增速,行業(yè)供需失衡狀態(tài)預(yù)計持續(xù)至2027年。


尤其,當(dāng)前存儲行業(yè)下游需求結(jié)構(gòu)已發(fā)生質(zhì)變,服務(wù)器相關(guān)敞口占比已從過去的20%—30%大幅躍升至50%—60%。AI大模型推理階段對HBM、DDR5等高性能存儲的消耗量呈指數(shù)級膨脹,單張GPU配套的HBM成本占比有望提升至40%以上。在這一背景下,國內(nèi)存儲廠商加速向先進制程及高端產(chǎn)品線迭代。同時,受外部地緣沖突政治因素催化,國內(nèi)存儲產(chǎn)線的設(shè)備國產(chǎn)化率正加速攀升,目前整體國產(chǎn)化率約20%,中期有望突破50%。這種“AI需求擴容”與“國產(chǎn)份額提升”的雙擊效應(yīng),或?qū)⒅厮車鴥?nèi)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的價值分配,具備技術(shù)壁壘的國產(chǎn)設(shè)備和材料龍頭將有望獲得超越行業(yè)平均增速的業(yè)績彈性。


A股存儲走出獨立行情


國產(chǎn)替代邏輯依然成立


來自于集邦咨詢的數(shù)據(jù),自2025年下半年起,存儲芯片現(xiàn)貨與合約價格雙雙飆升,漲勢遠超2016年—2018年的長周期漲幅。其中,DDR4(16Gb)2025年內(nèi)漲幅高達1800%,2025年底價格從約3.2美元暴漲至62美元以上。


不過,縈繞在該板塊頭頂?shù)囊膊⒎嵌际抢?。比如,美?月通脹數(shù)據(jù)高于預(yù)期,加上中東局勢推高油價,投資者風(fēng)險偏好降低;此外,市場對海外進一步收緊對華芯片出口管制的擔(dān)憂重燃,疊加部分資金在前期科技股連續(xù)上漲后選擇獲利了結(jié),一定程序上引發(fā)板塊情緒共振。


由此,更多青睞存儲賽道的投資者,將目光從國外拉回到國內(nèi),他們的底氣首先來自于存儲企業(yè)一季度業(yè)績。比如,存儲龍頭佰維存儲發(fā)布2026年一季報,營收68.14億元,同比增加341.53%,凈利潤28.99億元,單季利潤超去年三倍;江波龍一季報顯示,公司實現(xiàn)營業(yè)收入99.09億元,同比增長132.79%;兆易創(chuàng)新披露,2026年一季度實現(xiàn)營業(yè)收入41.88億元,同比增長119.38%。


此外,存儲芯片的國產(chǎn)替代邏輯也在持續(xù)催化市場情緒,國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)長江存儲、長鑫存儲等核心企業(yè)攻克多項關(guān)鍵技術(shù),產(chǎn)能有序釋放,近期的產(chǎn)能爬坡和客戶導(dǎo)入都在穩(wěn)步推進,帶動上下游產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展,全球市場占有率穩(wěn)步提升。雖然短期二級市場情緒很難把握,但從中長期看,那些在Nor Flash、SLC NAND以及存儲接口芯片上有核心競爭力的公司,依然值得關(guān)注。


從基本面看,國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)仍處于溫和復(fù)蘇通道。中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會最新數(shù)據(jù)顯示,二季度以來,消費電子、汽車電子等下游需求有所回暖,但工業(yè)及通信領(lǐng)域訂單未見明顯改善。對于存儲器方向,DRAM及NAND Flash現(xiàn)貨價在5月上半月漲幅收窄,渠道庫存去化速度放緩,導(dǎo)致板塊短期承壓。



綜合來看,科技板塊的中期邏輯并未改變。因為從產(chǎn)業(yè)周期來看,存儲芯片依然是半導(dǎo)體里最具彈性的方向之一。目前海外大廠如三星、SK海力士、美光科技仍在控產(chǎn)提價,而且AI服務(wù)器對HBM(高帶寬內(nèi)存)的需求持續(xù)火爆,已經(jīng)擠占了部分傳統(tǒng)DRAM的產(chǎn)能。這意味著,到了今年三季度,隨著手機廠商新機備貨和旺季到來,利基型DRAM和部分Flash產(chǎn)品或仍有漲價空間。

頻道: 金融財經(jīng)
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